1N3018BUR-1
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 8.2 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DO-213AB-2
- Pd - рассеивание мощности 1 W
- Допустимое отклонение напряжения -
- Температурный коэффициент напряжения 0.070 %/C
- Зенеровский ток 115 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 4.5 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 31 mA
- Квалификация -
- Упаковка Bulk
- Серия -