1N4132
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 82 V
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок DO-7-2
- Pd - рассеивание мощности 400 mW
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения 0.1 %/C
- Зенеровский ток 4.6 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 800 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 250 uA
- Квалификация -
- Упаковка Foil Bag
- Серия -