1N4102 TR
Central Semiconductor
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 8.7 V
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок DO-35-2
- Pd - рассеивание мощности 250 mW
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток 27.4 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 200 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 250 uA
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, Reel
- Серия 1N4102