1N3318A - Microchip / Microsemi
Поставка электронных компонентов
Технические характеристики
  • Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 19 V
  • Вид монтажа Stud Mount
  • Упаковка / блок DO-5
  • Pd - рассеивание мощности 50 W
  • Допустимое отклонение напряжения 10 %
  • Температурный коэффициент напряжения 0.075 %/C
  • Зенеровский ток 2.2 A
  • Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 2.2 Ohms
  • Минимальная рабочая температура - 65 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Конфигурация -
  • Ток испытаний 660 mA
  • Квалификация -
  • Упаковка Tray
  • Серия -