1N4483US - Microchip / Microsemi
Поставка электронных компонентов
Технические характеристики
  • Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 56 V
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок D-5A-2
  • Pd - рассеивание мощности 1.5 W
  • Допустимое отклонение напряжения 5 %
  • Температурный коэффициент напряжения -
  • Зенеровский ток 0.25 uA
  • Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 70 Ohms
  • Минимальная рабочая температура - 65 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Конфигурация -
  • Ток испытаний 4.5 mA
  • Квалификация -
  • Упаковка Foil Bag
  • Серия -
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться