1N4103UR/TR
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 9.1 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DO-213AA-2
- Pd - рассеивание мощности 0.5 W
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения 0.08 %/C
- Зенеровский ток 42 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 200 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 250 uA
- Квалификация -
- Упаковка Reel
- Серия -