1N3016B-1e3
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 6.8 V
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок DO-41-2
- Pd - рассеивание мощности 1 W
- Допустимое отклонение напряжения -
- Температурный коэффициент напряжения 0.061 %/C
- Зенеровский ток 140 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 3.5 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 37 mA
- Квалификация -
- Упаковка Bulk
- Серия -