1N4580-1
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 6.4 V
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок DO-35-2
- Pd - рассеивание мощности 500 mW
- Допустимое отклонение напряжения 1 %
- Температурный коэффициент напряжения 0.01 %/C
- Зенеровский ток 2 uA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 25 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 4 mA
- Квалификация -
- Упаковка Foil Bag
- Серия -