1N3995RA
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 4.7 V
- Вид монтажа Stud Mount
- Упаковка / блок DO-203AA-2
- Pd - рассеивание мощности 10 W
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения 0.025 %/C
- Зенеровский ток 2000 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 1.2 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 530 mA
- Квалификация -
- Упаковка Tray
- Серия -