1N4464US/TR - Microchip / Microsemi
Поставка электронных компонентов
1N4464US/TR
Microchip / Microsemi
Технические характеристики
  • Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 9.1 V
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок D-5A-2
  • Pd - рассеивание мощности 1.5 W
  • Допустимое отклонение напряжения 5 %
  • Температурный коэффициент напряжения -
  • Зенеровский ток 157 mA
  • Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 4 Ohms
  • Минимальная рабочая температура - 65 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Конфигурация Single
  • Ток испытаний 28 mA
  • Квалификация -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
  • Серия -