1N2827B - Microchip / Microsemi
Поставка электронных компонентов
Технические характеристики
  • Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 43 V
  • Вид монтажа Through Hole
  • Упаковка / блок TO-3
  • Pd - рассеивание мощности 50 W
  • Допустимое отклонение напряжения 5 %
  • Температурный коэффициент напряжения 0.095 %/C
  • Зенеровский ток 10 uA
  • Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 4.5 Ohms
  • Минимальная рабочая температура - 65 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Конфигурация Single
  • Ток испытаний -
  • Квалификация -
  • Упаковка Tray
  • Серия -