1N4461US/TR
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 6.8 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок D-5A-2
- Pd - рассеивание мощности 1.5 W
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток 210 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 2.5 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 37 mA
- Квалификация -
- Упаковка Reel
- Серия -