1N4463US
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 8.2 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок D-5A-2
- Pd - рассеивание мощности 1.5 W
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток 0.5 uA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 3 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Конфигурация -
- Ток испытаний 31 mA
- Квалификация -
- Упаковка Bulk
- Серия -