TH58NYG3S0HBAI6 - Toshiba Memory
Поставка электронных компонентов
TH58NYG3S0HBAI6
Toshiba Memory
Технические характеристики
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок VFBGA-67
  • Серия -
  • Размер памяти 8 Gbit
  • Тип интерфейса Parallel
  • Организация 1 G x 8
  • Тип синхронизации -
  • Ширина шины данных 8 bit
  • Напряжение питания - мин. 1.7 V
  • Напряжение питания - макс. 1.95 V
  • Напряжение питания - макс. -
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 85 C
  • Упаковка Tray