BFU660F,115
NXP Semiconductors
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Серия -
- Тип транзистора Bipolar
- Технология Si
- Полярность транзистора NPN
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe90
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 5.5 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2.5 V
- Непрерывный коллекторный ток 30 mA
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-343F
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel