BFP 650 H6327 - Infineon Technologies
Поставка электронных компонентов
BFP 650 H6327
Infineon Technologies
Технические характеристики
  • Серия BFP650
  • Тип транзистора Bipolar
  • Технология SiGe
  • Полярность транзистора -
  • Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe-
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 4 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 1.2 V
  • Непрерывный коллекторный ток 150 mA
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Конфигурация -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-343
  • Квалификация -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel