BF 888 H6327
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Серия BF888
- Тип транзистора Bipolar Power
- Технология Si
- Полярность транзистора NPN
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe250
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 4 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 13 V
- Непрерывный коллекторный ток 30 mA
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-343
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel