BFU730LXZ
NXP Semiconductors
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Серия -
- Тип транзистора Bipolar Wideband
- Технология SiGe
- Полярность транзистора NPN
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe205
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 10 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 1.3 V
- Непрерывный коллекторный ток 5 mA
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-883C-3
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel