T1G4012036-FS
Qorvo
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN SiC
- Усиление 18.4 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 36 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
- Id - непрерывный ток утечки 12 A
- Выходная мощность -
- Максимальное напряжение сток-затвор - 2.9 V
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Pd - рассеивание мощности 117 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок -
- Упаковка Tray