BF510,215
NXP Semiconductors
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Тип транзистора JFET
- Технология Si
- Усиление -
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток 20 V
- Id - непрерывный ток утечки 30 mA
- Выходная мощность -
- Максимальное напряжение сток-затвор 20 V
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 250 mW
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-23
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel