2N3819
Central Semiconductor
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Тип транзистора JFET
- Технология Si
- Усиление -
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 25 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток 25 V
- Id - непрерывный ток утечки 20 mA
- Выходная мощность -
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Pd - рассеивание мощности 360 mW
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-92
- Упаковка Bulk