RFM04U6P(TE12L,F)
Toshiba
)
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Полярность транзистора N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 2 A
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 16 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 13.3 dB
- Выходная мощность 4.3 W
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок PW-Mini-3
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel