PD57018STR-E
STMicroelectronics
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Полярность транзистора N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 2.5 A
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 65 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 760 mOhms
- Усиление 16.5 dB
- Выходная мощность 18 W
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок PowerSO-10RF-Straight-4
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel