PD57018STR-E - STMicroelectronics
Поставка электронных компонентов
PD57018STR-E
STMicroelectronics
Технические характеристики
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Технология Si
  • Id - непрерывный ток утечки 2.5 A
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 65 V
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 760 mOhms
  • Усиление 16.5 dB
  • Выходная мощность 18 W
  • Минимальная рабочая температура - 65 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок PowerSO-10RF-Straight-4
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel