3SK292(TE85R,F)
Toshiba
)
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Полярность транзистора N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 30 mA
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 12.5 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 26 dB
- Выходная мощность -
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SMQ-4
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel