A2G22S190-01SR3 - NXP Semiconductors
Поставка электронных компонентов
A2G22S190-01SR3
NXP Semiconductors
Технические характеристики
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Технология GaN Si
  • Id - непрерывный ток утечки 19 mA
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
  • Усиление 16.5 dB
  • Выходная мощность -
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок NI-400S-2
  • Упаковка Reel