2SK3079ATE12LQ
Toshiba
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Полярность транзистора N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 3 A
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 10 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 13.5 dB
- Выходная мощность 2.2 W
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок PW-X-4
- Упаковка Reel