A3G20S250-01SR3
NXP Semiconductors
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Полярность транзистора N-Channel
- Технология GaN Si
- Id - непрерывный ток утечки 250 mA
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 18.2 dB
- Выходная мощность -
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок NI-400S-2
- Упаковка Cut Tape, Reel