2SC3649S-TD-H
ON Semiconductor
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок -
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 160 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) -
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 6 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Максимальный постоянный ток коллектора -
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия 2SC3649