2SC5415AE-TD-E - ON Semiconductor
Поставка электронных компонентов
2SC5415AE-TD-E
ON Semiconductor
Технические характеристики
  • Технология -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок PCP-3
  • Полярность транзистора NPN
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 12 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) -
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
  • Максимальный постоянный ток коллектора 1 uA
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 6.7 GHz
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия 2SC5415A
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться