2SCR523V1T2L
ROHM Semiconductor
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок -
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 100 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора 200 mA
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 350 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -