2SA1618-Y(TE85L,F)
Toshiba
)
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SMT-6
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 50 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) - 50 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 0.1 V
- Максимальный постоянный ток коллектора - 150 mA
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 80 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Серия -