2SA1419T-TD-E
ON Semiconductor
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок TO-243-3
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 160 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) - 180 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 6 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 450 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора -
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 120 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия 2SA1419