2PB709ASW,115 - Nexperia
Поставка электронных компонентов
2PB709ASW,115
Nexperia
Технические характеристики
  • Технология -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-323-3
  • Полярность транзистора PNP
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 45 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) - 45 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 6 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
  • Максимальный постоянный ток коллектора - 200 mA
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 80 MHz
  • Минимальная рабочая температура - 65 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия -
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться