2SB1205T-TL-E - ON Semiconductor
Поставка электронных компонентов
2SB1205T-TL-E
ON Semiconductor
Технические характеристики
  • Технология -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок TO-252-3
  • Полярность транзистора PNP
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 20 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) - 25 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 0.25 V
  • Максимальный постоянный ток коллектора - 8 A
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 320 MHz
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия 2SB1205
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться