2SA1163-BL,LF
Toshiba
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология SMD/SMT
- Вид монтажа TO-236-3
- Упаковка / блок PNP
- Полярность транзистора Single
- Конфигурация - 120 V
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 120 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) - 5 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 300 mV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Максимальный постоянный ток коллектора 150 mW
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Серия 2SA1163