2SB1705TL
ROHM Semiconductor
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок TSMT-3
- Полярность транзистора PNP
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 12 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) - 15 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 6 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 120 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора 3 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 280 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия 2SB1705