APTGLQ150A120TG
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.05 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 250 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 240 nA
- Pd - рассеивание мощности 750 W
- Упаковка / блок SP4
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube