FF400R12KT3
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.15 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 580 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
- Pd - рассеивание мощности 2 kW
- Упаковка / блок 62 mm
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray