F3L75R12W1H3_B27
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация 3-Phase
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.45 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 45 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
- Pd - рассеивание мощности 275 W
- Упаковка / блок EasyPack1B
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray