APTGLQ40HR120CT3G
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Dual Common Emitter
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV, 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.05 V, 1.5 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 75 A, 80 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 120 nA, 600 nA
- Pd - рассеивание мощности 250 W, 176 W
- Упаковка / блок SP3F-32
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 100 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube