MWI25-12A7T
IXYS
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Hex
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
- Ток утечки затвор-эмиттер -
- Pd - рассеивание мощности -
- Упаковка / блок E2-Pack
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Bulk