FD400R33KF2C-K
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Single Dual Collector Dual Emitter
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 3300 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 660 A
- Ток утечки затвор-эмиттер -
- Pd - рассеивание мощности -
- Упаковка / блок IHV130
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray