FF450R33T3E3BPSA1
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 3300 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 450 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
- Pd - рассеивание мощности -
- Упаковка / блок AG-XHP100-3
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray