STGIPN3HD60-H
STMicroelectronics
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация 3-Phase Inverter
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.15 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 3 A
- Ток утечки затвор-эмиттер -
- Pd - рассеивание мощности 7 W
- Упаковка / блок NSDIP-L-26
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка -