FF600R12IP4
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 600 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
- Pd - рассеивание мощности 3.35 kW
- Упаковка / блок PRIME2
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray