F3L11MR12W2M1B65BOMA1
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология SiC
- Продукт IGBT Silicon Carbide Modules
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.75 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
- Pd - рассеивание мощности 20 mW
- Упаковка / блок Module
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray