BSM15GP60
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Array 7
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 20 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 300 nA
- Pd - рассеивание мощности 100 W
- Упаковка / блок EconoPIM2
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray