VS-ETF150Y65N - Vishay Semiconductors
Поставка электронных компонентов
VS-ETF150Y65N
Vishay Semiconductors
Технические характеристики
  • Технология -
  • Продукт IGBT Silicon Modules
  • Конфигурация Half Bridge
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 201 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA
  • Pd - рассеивание мощности 600 W
  • Упаковка / блок EMIPAK-2B
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube