FF1000R17IE4
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1390 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
- Pd - рассеивание мощности 6.25 kW
- Упаковка / блок PRIME3
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray