FP25R12W1T7B11BPSA1
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация PIM
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 25 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
- Pd - рассеивание мощности -
- Упаковка / блок AG-EASY1B-2
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray